Notebookcheck Logo

Microns DDR5-moduler når 9200MT/s med hjälp av EUV-litografi

Micron presenterar sitt DDR5-minne med 1γ-nod med 9200MT/s-hastigheter och förbättrad strömeffektivitet. (Bildkälla: Micron)
Micron presenterar sitt DDR5-minne med 1γ-nod med 9200MT/s-hastigheter och förbättrad strömeffektivitet. (Bildkälla: Micron)
Micron blir först med att leverera DDR5-moduler byggda med EUV-litografi på sin nya 1-gamma-nod. Genombrottet ger 15 procent högre hastigheter upp till 9200MT/s samtidigt som strömförbrukningen minskar med 20 procent och densiteten ökar med 30 procent.

Micron Technology har precis blivit den första minnestillverkaren att leverera provexemplar av DDR5-moduler byggda på den sjätte generationens 10nm-klassade DRAM-nod, även känd som 1γ (1-gamma). För första gången någonsin använder Micron EUV-litografi (extrem ultraviolett) i sin tillverkningsprocess, vilket ger anmärkningsvärda vinster i hastighet, energieffektivitet och produktionsutbyte.

Tack vare denna nya metod kan Microns 16 GB DDR5 ICs nå hastigheter på upp till 9200MT/s. Det är en rejäl prestandaförbättring på 15 procent jämfört med den tidigare 1β (1-beta) generationsamtidigt som strömförbrukningen sänks med mer än 20 procent. Dessutom ger den uppdaterade produktionstekniken över 30 procent högre bitdensitet, vilket kan bidra till att pressa kostnaderna när tillverkningsprocessen mognar.

"Microns expertis inom utveckling av egenutvecklade DRAM-teknologier, i kombination med vår strategiska användning av EUV-litografi, har resulterat i en robust portfölj av banbrytande 1γ-baserade minnesprodukter som är redo att driva AI-ekosystemet framåt", säger Scott DeBoer, Microns Executive Vice President och Chief Technology & Products Officer.

Micron planerar att använda 1γ-noden i ett brett spektrum av framtida minneslösningar, bland annat

Applikationer för datacenter: Upp till 15 procent snabbare prestanda och bättre energieffektivitet för att hålla nere strömförbrukningen och värmeutvecklingen.

Mobila enheter: LPDDR5X-varianter ger stöd för avancerade AI-upplevelser direkt på din smartphone eller surfplatta.

System för fordonsindustrin: LPDDR5X med en hastighet på upp till 9600MT/s kommer att utöka kapaciteten, förlänga produkternas livslängd och ge bättre prestanda.

Både AMD och Intel har redan börjat validera Microns nya DDR5-sortiment. Amit Goel, Corporate VP of Server Platform Solutions Engineering på AMD, betonade hur detta samarbete ligger i linje med företagets ansträngningar att fortsätta förfina sina EPYC-processorer och konsumentinriktade hårdvara. Dr. Dimitrios Ziakas från Intel lyfte fram den förbättrade strömeffektiviteten och den högre densiteten som kommer att gynna servermiljöer och AI-drivna datorer.

För närvarande tillverkar Micron dessa 1γ DRAM-chip vid sina anläggningar i Japan, där företaget introducerade sitt första EUV-litografisystem 2024. I takt med att produktionen ökar planerar Micron att installera ytterligare EUV-utrustning vid sina anläggningar i både Japan och Taiwan.

Källa(n)

Micron (på engelska)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Bärbara datorer, laptops - tester och nyheter > Nyheter > Nyhetsarkiv > Nyhetsarkiv 2025 02 > Microns DDR5-moduler når 9200MT/s med hjälp av EUV-litografi
Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)